InGaAs(铟镓砷)材料本身具有高吸收系数、高迁移率和高探测率等优势,在短波红外探测器领域,相较于其他材料,其量子效率可达约 70% - 90%,室温下迁移率约 8000 cm²/(V·s),具有高灵敏度、高速响应、低成本等特点。而 GaAsSb(砷化镓锑)的加入进一步提升了传感器的性能,使得相机在近红外区域具有优良表现。该摄像机在近红外区域具有高灵敏度,能够捕捉微弱的光信号,同时传感器具有较低的热噪声和暗电流,适合在低光环境下成像,保证了图像的质量和清晰度。
产地:日本
光电探测器:InGaAs/GaAsSb II 型量子阱
光谱灵敏度范围:1000 ~ 2500nm
像素数:320(X) × 256(Y)
帧频/曝光时间:100fps/1ms, 200fps/1ms, 300fps/3ms,320fps/2.5ms, 320fps/1ms
像素缺陷率:1,2 < 1%
光电探测器冷却方式:电子冷却
图像输出位长:16 位分级(0 至 65535)
图像和控制信号 I/O:Camera Link 格式
基本配置 16bit x 1tap(时钟 48MHz)
工作温度:5 - 30°C
工作湿度: 30 - 80%RH(无冷凝)
储藏温度:5 - 30°C
储藏湿度:30 - 80%RH(无冷凝)
电源电压:24VDC±10%
电流消耗:≦10A
外部 I/O 端子:触发输入/警报输出端子
相机链接连接端子(连接器:SDR)
外部尺寸:W90 毫米 x D 110 毫米 x 170 毫米
(不包括镜头和突出部件)
重量:约 2.5 千克
镜头安装座:C 安装座
这些相机非常适合光通信、材料评估和研发等需要在近红外区域进行高精度检测的应用。住友电气工业公司生产的传感器实现了高灵敏度和低噪音,在工业环境中性能可靠。