FQSS266-Q激光器,凭借其266nm的波长,携带了非常高的光子能量。在荧光激发过程中,这样高的光子能量对于跨越较大的能带间隙至关重要,尤其是在半导体材料如砷化镓(GaAs)或氮化镓(GaN)中。通过吸收这些高能光子,UV(紫外线)或DUV(深紫外线)辐射能够有效地弥合甚至较大的能带间隙,从而激发材料发出荧光。此外,这款激光器在(生物)材料的电离过程中同样表现良好,其高能量光子能够有效地剥离电子,实现电离效果。
我们的脉冲、被动Q开关微芯片激光系统,凭借其多功能性,在工业(OEM)和科学研究领域均有着广泛的应用前景。我们能够为我们的脉冲激光器提供从IR(红外线)到DUV的五种不同波长选项,具体包括:
1064nm:适用于多种工业加工和材料处理应用。
532nm:常用于光学测量、成像等领域。
355nm:在微加工、光刻等领域展现出独特优势。
266nm:如上文所述,特别适用于荧光激发、材料电离等高精度应用。
213nm:作为深紫外线光源,在加工、光刻胶曝光等方面具有潜在应用。
独立系统(包括按键开关、散热器和手动快门;符合 CDRH 标准)
同步信号输出(上升时间 <2 ns)
外部光束扩展器(M = 5x)
手动快门或电子光束阻断器
手动或电动波长开关 266 nm / 532 nm
手动或电动衰减器
根据要求提供脉冲能量闭环操作
产地:德国
波长:266 nm
脉冲能量:> 12 μJ @1kHz
峰值功率:> 12 kW @1kHz
脉冲重复率:≤ 1 kHz
脉冲宽度 (FWHM):≤ 1.0 ns
偏振方向和纯度:> 100:1 垂直
6 小时内脉冲能量漂移:< ± 5 %
脉冲间能量稳定性:< 2 % @1kHz
激光等级:4 / IV
空间模式:TEM00
光束发散度 2Θ:< 2 mrad
光束直径:600 ± 200 μm
平均功耗:40 W(max. 70 W)
工作电压:12 V DC
线路电压:90 – 265 V AC(50 – 60 Hz)
标记:CE
接口:RS 232、USB
外部触发器(TTL、上升沿)单次触发(按需脉冲)– 重复率(max)
TTL 控制和功率监控接口
预热时间:< 5 分钟
工作温度:18 – 38 °C

质谱
荧光
光致发光
脉冲拉曼光谱
标记(玻璃、镜片)
雕刻