H 封装激光二极管阵列专为直接二极管应用(如脱毛和塑料焊接)而设计。该封装采用二维配置,工作频率为 0.1ms 至 300ms 长脉冲持续时间,每条工作功率高达 150 瓦。标准组件提供 8 bar、10 bar和 12 bar垂直堆叠(可根据要求提供定制选项)。设计小巧紧凑,采用非去离子标准过滤水冷却,使安装和维护更加经济省时。封装采用 AuSn 焊料和膨胀匹配材料组装,更加坚固耐用,提高了可靠性。
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产地 |
美国 |
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波长 |
780 – 980 nm |
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工作模式 |
准连续波 |
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阵列峰值输出功率 |
150 – 1800 W |
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条状发射长度 |
10 mm |
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条状数量 |
max.12条 |
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工作电流 |
140 A |
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工作电压(每条) |
2 V |
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功率转换效率 |
55 % |
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条间距 |
1.65 mm |
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脉冲宽度 |
max.300 ms |
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占空比 |
max.25% |
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光束发散全宽半高值 |
33×6° |
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光束发散全宽半高值 (透镜聚焦后) |
1×6° |

材料加工
塑料焊接
激光切割
半导体制造